，在草稿纸上写下一系列的实验参数。
然后起身走到沈靖身旁，把草稿纸甩给了沈靖。
沈靖拿到草稿纸后，微微一愣，旋即开始和方结明沟通，进行模型分析。
陈舟则再次回到座位坐好。
接下来，该轮到n型掺杂和共掺杂的问题了。
n型掺杂和共掺杂的问题，相比于p型掺杂，则要难上许多。
“第一次实现金刚石n型掺杂是在111面金刚石衬底上进行的，而且样品在很宽的温度范围内都表现了n型半导体传到特性”
“在温度500k时，霍尔迁移率在232vs”
“但是，相对于111面单晶金刚石衬底表面抛光难、缺陷多、尺寸小来说，100面取向衬底表面具有原子级的平整程度，缺陷小，外延膜质量也优于111面衬底金刚石”
“可这也并不是绝对的，而且晶面的问题，也不是最为关键的因素”
想到这，陈舟手中的笔停了下来，习惯性的在草稿纸上点着点。
这是陈舟思路受阻时的表现。
“再梳理一遍献资料”
这样想着的陈舟，放下了手中的笔，将目光再次移向电脑屏幕。
手中鼠标的滚轮不断滑动，屏幕上的内容也在不断变化。
但陈舟的眼睛却一眨都不眨。
这些内容，他已经过了一遍了。
现在再看，只是寻找自己有没有漏掉的地方。
好给自己受阻的思路，打开一个缺口。
“磷的掺杂浓度？”
“电子散射机制？”
“不是这部分的内容”
“17ev？”
“怎么把这个数据忘了！”
看到这个内容时，陈舟的双眼瞬间明亮起来。
n型掺杂，或者说磷掺杂金刚石，之所以难。
是因为磷原子比碳原子大，很难嵌入金刚石晶格。
当磷原子进入金刚石晶格内，会引起晶格扭曲，影响金刚石中的构型、键型和电荷分布。
磷掺杂金刚石中存在大量空位，也会与磷原子形成结合力很强的磷空位缺陷。
这种缺陷的能级位于金刚石导带底约17ev的位置上，可以补偿施主，阻碍磷原子的电离。
进而导致难以获得高质量的磷掺杂金刚石薄膜。
虽然磷的能级位于导带底以下058ev，但是这种缺陷却还是存在。
“缺陷的填补”
陈舟手中的动作加快，鼠标的滚轮不断滑动。
屏幕上的内容被陈舟拉到了共掺杂的部分。
氮原子处于金刚石晶格中的替代位置，会形成激发能量为17ev的深施主能级，在室温下不导电
理论上，磷可以作为浅施主杂质，但磷原子的半径大于碳原子半径，很难掺入金刚石晶格中
理论表明，磷氮共掺的方法，也许是克服宽禁带和超宽禁带半导体自身补偿的一种有效方法
看到这，陈舟手中的速度不自觉的慢了下来。
如果氮原子能够填补缺陷，磷原子的掺杂就有了空间
本来是准备先解决n型掺杂问题的，结果这一思考，问题就跳跃到了共掺杂？
因为四十三所的n型掺杂实验，采用的是磷掺杂。
所以在共掺杂中，他们研究的便是磷氮共掺的方法。
这也使得陈舟就这样把两者联系在了一起。
陈舟不由得在心中笑了笑，但也随即便决定将n型掺杂和共掺杂的问题放在一块解决。
在共掺杂实验中，最早被作为磷源的是ph3，被作为氮源的是n2。
但是，采用这两种气体进行实验时，得到的结果却并不理想。
制备出来的掺杂金刚石膜的电阻率很高。
随后的实验中，磷源和氮源的选择被不断变更。
像是nh4h2p04这种包含磷元素和氮元素的单一掺杂源，也被应用到了研究上。
但得到的金刚石膜的电阻率依然很高。
陈舟又看了一眼四十三所的实验数据，随即开始在草稿纸上整理可以作为氮源和磷源的物质。
在陈舟沉浸在研究中时，房间外的天色已经渐渐暗了下来。
“陈舟。”
被沈靖的声音喊醒，陈舟疑惑的抬起头看着沈靖。
沈靖指了指电脑：“数据分析完成了。”
“噢。”陈舟应了一声，起身走到沈靖旁边看了一眼。
分析的结果和他的预料基本上没有多大差别。
“发给我，我做最后的处理。”
沈靖点点头：“好。”
陈舟转身就准备走回座位，这时沈靖拽住了他，指了